NV-P7 · 第七代精密手持终端

把公差 压进掌心 0.004 mm

从钛合金一体中框到自研 N1 电源管理芯片,NOVARIS 把图纸上的每一道尺寸链 收束到可复现的装配区间。P-7 是第七代成果,也是我们第一次把整机公差带 写进对外技术白皮书。

0.000 mm
中框装配公差
0 nit
峰值屏幕亮度
0 W
PD 3.1 直充功率
REV 2026.10
NOVARIS P-7 精密手持终端技术图纸
FIG. 01 — P-7 HANDHELD TERMINAL DWG NO. NV-P7-001
01 Product Matrix NV-CAT-2026 · 8 ITEMS

八条产品线,共用同一套公差语言

手持终端、可穿戴、声学、影像与计算——不同形态的机身背后是同一份材料清单 与同一套装配基准。点击下方分类可筛选。

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02 Technical Blueprint FIG. 02 · N1 PMIC
NOVARIS N1 电源管理芯片版图
FIG. 02 — N1 POWER MANAGEMENT IC LAYOUT · 4 nm · 218 mm²

N1 电源管理芯片

四相 buck-boost 双向架构,把 100W 直充的发热压进一块 218 mm² 的版图里。 N1 是 P-7 能在 9.4 mm 机身内维持 96.9% 转换效率的原因,也是我们对 「快充不该烫手」这句话的技术回答。

制程节点 4 nm · TSMC N4P
版图面积 218 mm² · 含 12% 工艺余量
转换效率 96.9 % · @ 100W 满载
相数 4 相 · buck-boost 双向
峰值电流 12.5 A · 单相持续
工作温度 −40 ~ 125 ℃ · 车规级区间
封装 FCBGA-1156 · 0.35 mm pitch
03 Engineering Journal LOG-0412 → 0414

图纸之外,那些没写进规格书的过程

良率拐点、相位漂移、装配基准的取舍——工程日志记录的是数字背后的判断, 以及我们为什么改了主意。

晶圆减薄工艺示意图

LOG-0412 · 2026.09.18 · 材料

晶圆减薄至 45 µm 的良率拐点

从 60 µm 走到 45 µm,崩边率在第三批突然抬头。回溯后发现瓶颈不在研磨轮, 而在临时键合胶的固化曲线。

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ANC 相位一致性波形图

LOG-0413 · 2026.09.27 · 声学

ANC 相位一致性的 200 小时

左右耳的降噪深度差超过 1.5 dB 就会被听出来。我们把 200 小时老化数据 拉成相位散点图,才找到麦克风开孔的对称性误差。

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一体中框装配基准示意图

LOG-0414 · 2026.10.06 · 装配

一体中框的 0.004 mm 从哪来

0.004 mm 不是磨出来的,是选出来的。三套基准方案并行试产六个月, 最终胜出的那套在装夹次数上少了一步。

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04 Asset Index STATIC ASSETS

本站自身素材的完整索引

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05 Contact NV-CAT-2026

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