晶圆减薄至 45 µm 的良率拐点
从 60 µm 走到 45 µm,崩边率在第三批突然抬头。回溯后发现瓶颈不在研磨轮, 而在临时键合胶的固化曲线。
阅读全文手持终端、可穿戴、声学、影像与计算——不同形态的机身背后是同一份材料清单 与同一套装配基准。点击下方分类可筛选。
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四相 buck-boost 双向架构,把 100W 直充的发热压进一块 218 mm² 的版图里。 N1 是 P-7 能在 9.4 mm 机身内维持 96.9% 转换效率的原因,也是我们对 「快充不该烫手」这句话的技术回答。
良率拐点、相位漂移、装配基准的取舍——工程日志记录的是数字背后的判断, 以及我们为什么改了主意。
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